Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11147/9637
Title: Electronic, vibtational and transport properties of quasi-one dimensional transition metal dichalcogenide structures
Other Titles: Kuasi bir boyutlu geçiş metali dikalkojenit yapıların elektronik, titreşimsel ve taşınım özellikleri
Authors: Ünsal, Elif
Advisors: Sevinçli, Haldun
Senger, Ramazan Tuğrul
Keywords: Statistical physics
Condensed matter physics
Quantum transport
Thermoelectric materials
Publisher: Izmir Institute of Technology
Source: Ünsal, E. (2019). Electronic, vibtational and transport properties of quasi-one dimensional transition metal dichalcogenide structures. Unpublished master's thesis, İzmir Institute of Technology, İzmir, Turkey
Abstract: Thermoelectric materials have attracted great attention due to their ability to convert heat to electrical energy. As the application area of nanoscience expands, nanostructuring becomes a promising approach for enhancing thermoelectric properties. In this thesis, thermoelectric enhancement of the T-phase HfSe2 structures is studied via nanostructuring. Density functional theory (DFT) based electronic and vibrational spectra of two-dimensional (2D) and quasi-one dimensional T-phase HfSe2 structures are investigated and their ballistic thermoelectric transport properties are examined within the Landauer formalism. For the first time, it was reported that the nanoribbons of the Tphase HfSe2 are dynamically stable and semiconducting materials. They have promising thermoelectric properties. We reported the enhancement of the p-type ZT parameter of T-phase HfSe2 at both low and high temperatures. Moreover, the width dependency of the thermoelectric properties of the nanoribbons are studied.
Termoelektrik malzemeler, ısı ve elektrik enerjisi arasında çevirim yapabildikleri için büyük ilgi çekmektedirler. Nanobilimdeki uygulama alanları genişledikçe, termoelektrik verimliliği artırmada, nanoyapılandırma umut vadeden bir yaklas¸ım olmuştur. Bu çalışmada, T-fazına sahip HfSe2 yapısının termoelektrik verimliliğinin nanoyapılandırma ile artırılması çalışılmıştır. Yoğunluk fonksiyoneli (DFT) teorisi kullanılarak, iki boyutlu ve kuasi-bir boyutlu malzemelerin elektronik ve titreşimsel bant yapıları incelenmiş ve balistik termal taşınım özellekleri Landauer formalizmi kullanılarak elde edilmiştir. İlk defa bu çalışmada, T-fazı HfSe2’nin kuasi-bir boyutlu nanoşeritleri incelenmiştir. Dinamik olarak kararlı bulunmuşlardır ve her bir malzeme yarı iletken karaktere sahiptir. Hem düşük, hem de yüksek sıcaklıklarda p-type ZT parametresinde artış hesaplanmıştır. Nanoşeritlerin kalınlıklarına bağlı termoelektrik özellikleri de incelenmiştir.
Description: Thesis (Master)--Izmir Institute of Technology, Physics, Izmir, 2019
Includes bibliographical references (leaves: 38-43)
Text in English; Abstract: Turkish and English
URI: https://hdl.handle.net/11147/9637
Appears in Collections:Master Degree / Yüksek Lisans Tezleri

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
10180749.pdfMasterThesis5.66 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record



CORE Recommender

Page view(s)

250
checked on Nov 18, 2024

Download(s)

174
checked on Nov 18, 2024

Google ScholarTM

Check





Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.