Show simple item record

dc.contributor.advisorÖzyüzer, Lütfien_US
dc.contributor.authorCantaş Bağdaş, Ayten
dc.dateinfo:eu-repo/date/embargoEnd/2020-07-17
dc.date.accessioned2018-01-02T07:26:13Z
dc.date.available2018-01-02T07:26:13Z
dc.date.issued2017-06
dc.identifier.citationCantaş Bağdaş, A. (2017). X-ray photoelectron spectroscopy analysis of magnetron sputtered Cu2ZnSnS4 based thin film solar cells with CdS buffer layer. Unpublished doctoral dissertation, İzmir Institute of Technology, İzmir, Turkeyen_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11147/6625
dc.descriptionThesis (Doctoral)--Izmir Institute of Technology, Physics, Izmir, 2017en_US
dc.descriptionFull text release delayed at author's request until 2020.07.17en_US
dc.descriptionIncludes bibliographical references (leaves: 154-170)en_US
dc.descriptionText in English; Abstract: Turkish and Englishen_US
dc.description.abstractCu2ZnSnS4 (CZTS) is a novel quaternary compound which contains Cu, Zn, Sn and S elements. It is a p-type semiconductor which has been taken attention in the last years as an absorber layer. Since it consists of abundant, low cost and non-toxic elements, it is one of the most promising candidate as an absorber layer for thin film photovoltaic (PV) application. Having high absorption coefficient, low bandgap value which is theoretically in desired range make this material attractive for solar cell application. In this thesis, CZTS absorber layers were grown using two stages which are the magnetron sputtering of metallic precursors, followed by a heat treatment under sulfur vapor atmosphere. Two types of CZTS were grown such as SLG/Mo/Cu (55nm)/Sn/Zn/Cu (120nm) and SLG/Mo/Cu (120nm)/Sn/Zn/Cu (55nm). For the same stacking order, the effect of Cu thickness sequentially grown with Sn layer on the film quality were investigated. The optical properties, microstructure, surface and bulk composition of CZTS films were investigated in detail. This study revealed a correlation between the CZTS stacking order having different thickness of Cu layer and the improvement of film quality, which was also confirmed by the photo-conversion efficiency of the fabricated devices. In this work, the other investigated layer is CdS which is an n-type semiconductor with bandgap energy of 2.4 eV. Since CdS has well lattice match with the heterojunction between CdS and CZTS, it is one of the most preferred material as a buffer layer for solar cells. In this work CdS buffer layers were deposited by chemical bath deposition technique. The optimization of CdS layers were occurred and optical, structural, bulk and surface compositions were investigated in detail. Finally, SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/AZO devices were fabricated. The effect of structure properties of CZTS films and the thickness of CdS buffer layer on efficiency of fabricated solar cells were investigated.en_US
dc.description.abstractCu2ZnSnS4 (CZTS), Cu, Zn, Sn ve S elementleri içeren yeni dörtlü bir bileşik olup son yıllarda soğurucu katman olarak dikkat çeken p-tipi yarıiletkendir. Bol, düşük maliyetli ve toksik olmayan elementlerden oluştuğu için ince film fotovoltaik (PV) uygulamalarda emici katman olarak en umut verici adaydır. Yüksek absorpsiyon katsayısına sahip olması, teorik olarak arzulanan aralıkta düşük band katsayısı değeri bu malzemeyi güneş pilleri uygulaması için çekici hale getirir. Bu çalışmada, CZTS soğurucu tabakalar, metalik öncüllerin magnetron saçtırma tekniği ile büyütülmesi ve ardından sülfür buharı altında tavlanmasıyla iki aşamalı olarak büyütülmüştür. SLG/Mo/Cu (55nm)/Sn/Zn/Cu (120nm) ve SLG/Mo/Cu (120nm)/Sn/Zn/Cu (55nm) sırasında iki tip CZTS soğurucu katman büyütülmüştür. Aynı istif sırası için, Sn katmanı ile ardışık olarak büyütülen Cu katman kalınlığının film kalitesi üzerindeki etkisi araştırılmıştır. CZTS filmlerin optik özellikleri, mikroyapı, yüzey ve yığın kompozisyonu ayrıntılı olarak incelenmiştir. XPS analizi ile iki dizilimde büyütülen CZTS filmlerin elementel yüzey bileşimleri kıyaslanmıştır Bu çalışmada, farklı kalınlıklarda Cu tabakasına sahip olan CZTS istifleme sırası ile film kalitesinin iyileştirilmesi arasında bir ilişki olduğu gösterilmiş ve üretilen güneş hücrelerinin ışık-dönüştürme verimlilikleri ile doğrulanmıştır. Bu çalışmada, incelenen diğer katman, 2.4 eV'lik yasak enerji band aralığına sahip, n-tipi yarıiletken olan CdS'dir. CdS ile CZTS’nin oluşturdukları arayüzeyin iyi bir örgü eşleşmesine sahip olması nedeniyle, CdS güneş pilleri için bir tampon katmanı olarak en çok tercih edilen malzemelerden biridir. Bu çalışmada CdS tampon tabakaları kimyasal banyo tekniği ile kaplanmıştır. CdS katmanlarının optimizasyonu yapılarak optiksel ve yapısal özellikleri, yığın ve yüzey bileşimleri detaylı olarak incelenmiştir. Bu optimizasyonlar sonucunda SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/AZO yapısında güneş pilleri üretilmiştir. CZTS filmlerin yapısal özelliklerinin ve CdS tampon tabakasının kalınlığının, büyütülen güneş pillerinin verimliliği üzerindeki etkisi araştırılmıştır.en_US
dc.description.sponsorshipTUBITAK (MFAG/114F341)en_US
dc.format.extentxvi, 170 leavesen_US
dc.language.isoengen_US
dc.publisherIzmir Institute of Technologyen_US
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/TUBITAK/MFAG/114F341en_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccessen_US
dc.subjectCZTSen_US
dc.subjectSolar cellsen_US
dc.subjectThin filmsen_US
dc.titleX-ray photoelectron spectroscopy analysis of magnetron sputtered Cu2ZnSnS4 based thin film solar cells with CdS buffer layeren_US
dc.title.alternativeCdS tampon katmanlı mıknatıssal saçtırılmış Cu2ZnSnS4 tabanlı ince film güneş hücrelerinin X-ışını fotoelektron spektroskopi analizi.en_US
dc.typedoctoralThesisen_US
dc.contributor.departmentIzmir Institute of Technology. Physicsen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record